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荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2021/7/20 20:15:20
  • 訪問次數(shù)439
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深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司,經(jīng)過十多年的紫外光專業(yè)技術(shù)沉淀,可以根據(jù)客戶特殊要求提供定制化服務(wù),研發(fā)設(shè)計(jì)組裝:紫外臭氧清洗機(jī)(UV清洗機(jī)),準(zhǔn)分子清洗機(jī),等離子清洗機(jī)/去膠機(jī)等科研以及生產(chǎn)設(shè)備,擁有自主品牌及注冊商標(biāo)。 同時(shí)我們代理歐美日多家高科技設(shè)備廠家高性價(jià)比產(chǎn)品, 始終堅(jiān)持創(chuàng)新, 技術(shù), 服務(wù), 誠信的企業(yè)文化,為廣大中國及海外客戶提供的儀器設(shè)備和材料的整體解決方案。 應(yīng)用領(lǐng)域: 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué), 生命科學(xué)/生物醫(yī)療等領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn), 客戶群體例如高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等。 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué) 產(chǎn)品主要有: 德國ParcanNano(Nano analytik)針尖光刻機(jī),電子束光刻機(jī), 激光直寫光刻機(jī),紫外光刻機(jī),微納3D打印機(jī),德國Sentech刻蝕機(jī)/鍍膜機(jī)及原子沉積,英國HHV磁控/電子束/熱蒸發(fā)鍍膜機(jī),微波離子沉積機(jī)MPCVD,芬蘭Picosun原子層沉積機(jī),電子顯微鏡, 德國Bruker布魯克原子力顯微鏡/微納表征/光譜儀, 美國THERMO FISHER賽默飛光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,美國Sonix超聲波顯微鏡, 德國耐馳Netzsch熱分析儀, 德國Optosol吸收率發(fā)射率檢測儀, 日本SEN UV清洗機(jī)/UV清洗燈,美國Jelight紫外清洗機(jī)/紫外燈管,德國Diener等離子清洗機(jī)等*技術(shù)產(chǎn)品。 生命科學(xué)/生物醫(yī)療 產(chǎn)品主要有:PCR儀,核酸質(zhì)譜儀/核酸檢測儀,電子顯微鏡,紫外設(shè)備,光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,生物芯片,試劑,實(shí)驗(yàn)耗材等。 并可依據(jù)客戶需求,研發(fā)定制相關(guān)產(chǎn)品。我們以高性價(jià)比的優(yōu)勢為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),為高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等客戶提供儀器設(shè)備和材料。
電子顯微鏡
荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng),在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。
荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

產(chǎn)品描述:荷蘭TSST公司提供專業(yè)的脈沖激光沉積系統(tǒng)和激光分子束外延系統(tǒng)。

荷蘭Twente Solid State Technology BV(TSST)公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD),以及相關(guān)薄膜制備解決方案,公司具有20多年研究與生產(chǎn)脈沖激光沉積系統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn)。

TSST與大的納米與微系統(tǒng)技術(shù)研究中心之一荷蘭Twente大學(xué)MESA+ Institute保持著密切合作,開發(fā)出各種脈沖激光沉積技術(shù)中需要使用的核心技術(shù)。

脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。

激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE),是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的外延薄膜生長技術(shù)。

在高氧氣壓力環(huán)境下實(shí)現(xiàn)RHEED原位監(jiān)控,曾是RHEED分析的一個(gè)重要難題,TSST個(gè)提出差分抽氣的方式實(shí)現(xiàn)高壓環(huán)境下RHEED原位監(jiān)控---TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的發(fā)明人,在系統(tǒng)制造和RHEED的使用,以及結(jié)果分析方面,有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

選件

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。

應(yīng)用領(lǐng)域:

單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3

壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3

鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4

熱電薄膜(SrTiO3

金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3

半導(dǎo)體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3

高K介質(zhì)薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5

超導(dǎo)薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

光波導(dǎo),光學(xué)薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2

超疏水薄膜(PTFE)

紅外探測薄膜(V2O5,PZT)

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