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Oxford System 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2021/7/13 20:20:57
  • 訪問次數(shù)446
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深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司,經(jīng)過十多年的紫外光專業(yè)技術(shù)沉淀,可以根據(jù)客戶特殊要求提供定制化服務(wù),研發(fā)設(shè)計(jì)組裝:紫外臭氧清洗機(jī)(UV清洗機(jī)),準(zhǔn)分子清洗機(jī),等離子清洗機(jī)/去膠機(jī)等科研以及生產(chǎn)設(shè)備,擁有自主品牌及注冊商標(biāo)。 同時我們代理歐美日多家高科技設(shè)備廠家高性價比產(chǎn)品, 始終堅(jiān)持創(chuàng)新, 技術(shù), 服務(wù), 誠信的企業(yè)文化,為廣大中國及海外客戶提供的儀器設(shè)備和材料的整體解決方案。 應(yīng)用領(lǐng)域: 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué), 生命科學(xué)/生物醫(yī)療等領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn), 客戶群體例如高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等。 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué) 產(chǎn)品主要有: 德國ParcanNano(Nano analytik)針尖光刻機(jī),電子束光刻機(jī), 激光直寫光刻機(jī),紫外光刻機(jī),微納3D打印機(jī),德國Sentech刻蝕機(jī)/鍍膜機(jī)及原子沉積,英國HHV磁控/電子束/熱蒸發(fā)鍍膜機(jī),微波離子沉積機(jī)MPCVD,芬蘭Picosun原子層沉積機(jī),電子顯微鏡, 德國Bruker布魯克原子力顯微鏡/微納表征/光譜儀, 美國THERMO FISHER賽默飛光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,美國Sonix超聲波顯微鏡, 德國耐馳Netzsch熱分析儀, 德國Optosol吸收率發(fā)射率檢測儀, 日本SEN UV清洗機(jī)/UV清洗燈,美國Jelight紫外清洗機(jī)/紫外燈管,德國Diener等離子清洗機(jī)等*技術(shù)產(chǎn)品。 生命科學(xué)/生物醫(yī)療 產(chǎn)品主要有:PCR儀,核酸質(zhì)譜儀/核酸檢測儀,電子顯微鏡,紫外設(shè)備,光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,生物芯片,試劑,實(shí)驗(yàn)耗材等。 并可依據(jù)客戶需求,研發(fā)定制相關(guān)產(chǎn)品。我們以高性價比的優(yōu)勢為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),為高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等客戶提供儀器設(shè)備和材料。
電子顯微鏡
Oxford System 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備,是一個靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。具有工藝靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體,光電子學(xué),光子學(xué),微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù)。可處理8 晶片,也具有小批量(6 2)預(yù)制和試生產(chǎn)的能力
Oxford System 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備 產(chǎn)品信息

Oxford System 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備


該設(shè)備是一個靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。


具有工藝靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體,光電子學(xué),光子學(xué),微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù), PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。


主要特點(diǎn)


· 可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預(yù)制和試生產(chǎn)的能力

· 選擇單晶片/批處理或盒式進(jìn)樣,采用真空進(jìn)樣室。 該P(yáng)lasmalabSystem100可以集成到一個集群系統(tǒng)中,采用機(jī)械手傳送晶片,生產(chǎn)工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制,其溫度范圍為-150 ° C至700° C

· 用于終端檢測的激光干涉和/或光發(fā)射譜可安裝在Plasmalab System100以加強(qiáng)刻蝕控制

· 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠(yuǎn)端,遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備


工藝

一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設(shè)備的例子:

· 低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應(yīng)用于MEMS ,微流體技術(shù)和光子技術(shù)

· 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)

· GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

· 高品質(zhì),高速率SiO2沉積,應(yīng)用于光子器件

· 金屬(Nb, W)刻蝕

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