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晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)	￥ 790000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱陜西天士立科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)ST-FBSOA_X
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2024/4/29 17:44:01
訪問(wèn)次數(shù)229

產(chǎn)品標(biāo)簽:

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試儀

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

　　陜西天士立科技有限公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開(kāi)發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來(lái)自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開(kāi)發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)，在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。

　　“半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場(chǎng)景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來(lái)料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。

　　“環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。

　　“電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備；電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)整流裝置；電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源，感應(yīng)加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器；遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)；光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板；SVC無(wú)功靜補(bǔ)裝置等。

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半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備，MOS-FET管場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備，光耦參數(shù)測(cè)試儀，二三極管參數(shù)測(cè)試儀，碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備，半導(dǎo)體器件特性分析儀，IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)，實(shí)時(shí)在線高低溫箱，熱流儀，氣流儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新

1.Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOS-FET的FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）測(cè)試
2.FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線
3.ICE電流0~1000A
4.VCE電壓0~100V
5.VGE驅(qū)動(dòng)電壓0~30V
6.VMNF熱敏電壓≤5V
7.Pmax功率100KW

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

基礎(chǔ)信息

Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOS-FET的FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）測(cè)試
FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線
ICE電流0~1000A
VCE電壓0~100V
VGE驅(qū)動(dòng)電壓0~30V
VMNF熱敏電壓≤5V
Pmax功率100KW
脈寬10us~10ms
柜式結(jié)構(gòu)，氣動(dòng)安全（支持手動(dòng)式）工裝柜，計(jì)算機(jī)程控

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

FBSOA定義

該圖是簡(jiǎn)版FBSOA曲線，劃定了四條電壓-電流關(guān)系的邊界線，分別是AB段，BC段，CD段，DE段
AB段規(guī)定了處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)下IGBT的zd工作電流，這個(gè)電流與IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電壓幅值相關(guān)，從圖看出，IGBT 門極驅(qū)動(dòng)電壓幅值越高，飽和導(dǎo)通狀態(tài)下的zd工作電流越大
BC段是IGBT max可重復(fù)電流ICpuls，是4倍標(biāo)稱電流
CD段需結(jié)合IGBT瞬態(tài)熱阻看。IGBT有線性區(qū)和飽和區(qū)
跨AB段后，其IGBT處于線性區(qū)了，也就退出飽和導(dǎo)通區(qū)， IGBT損耗急劇上升。所以，這條邊界體現(xiàn)IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE電壓越高，IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外，電流脈寬越大，IGBT所能承受電流幅值也越低
藍(lán)色CD段各種脈沖寬度下的SOA，均是單脈沖安全工作區(qū)，非連續(xù)工作情況下的工作區(qū)，所以，必須參考上一頁(yè)的右下角的IGBT瞬態(tài)熱阻曲線，由公式（1）計(jì)算出在指VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬
DE段規(guī)定了IGBT集射極CE擊穿電壓，IGBTCE擊穿電壓是和結(jié)溫正相關(guān)，結(jié)溫越低，CE擊穿電壓也越低

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

產(chǎn)品特點(diǎn)

測(cè)試規(guī)范：IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023
測(cè)試工裝有“手動(dòng)式”“氣動(dòng)式”“電子開(kāi)關(guān)式”供選擇，不同封裝外觀，更換“DUT適配器”即可
高溫測(cè)試，支持室溫~200℃，±1℃@0.5℃
計(jì)算機(jī)程控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel、PDF。內(nèi)置多種通用文檔模板供用戶選擇，還可自定義
安全穩(wěn)定（PLC對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖）設(shè)備具有安全工作保護(hù)功能
智能化，計(jì)算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯，測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存及上傳特定局域網(wǎng)，支持MES系統(tǒng)和掃碼槍連接
安全性，防爆，防觸電，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，可以操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全
電壓源電流源模塊化設(shè)計(jì)，根據(jù)需求，自選搭配

晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X

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