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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià) ￥ 980000
訂貨量 ≥1套
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱陜西天士立科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)STA1200
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/4/29 17:20:05
  • 訪問(wèn)次數(shù)245
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　　陜西天士立科技有限公司，專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開(kāi)發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來(lái)自院所高校和知企業(yè)的從事電力電子、芯片開(kāi)發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)，在替代同類(lèi)進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。
 
　　“半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車(chē)、新能源汽車(chē)、白色家電等......)應(yīng)用場(chǎng)景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來(lái)料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。
 
　　“環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類(lèi)氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。
 
　　“電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備；電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)整流裝置；電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源，感應(yīng)加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器；遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)；光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車(chē)調(diào)速匯報(bào)板；SVC無(wú)功靜補(bǔ)裝置等。
 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試設(shè)備，MOS-FET管場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備，光耦參數(shù)測(cè)試儀，二三極管參數(shù)測(cè)試儀，碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備，半導(dǎo)體器件特性分析儀，IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)，實(shí)時(shí)在線高低溫箱，熱流儀，氣流儀
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
1. 專(zhuān)注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè)，軟件程控，測(cè)試條件界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試
2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)
3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃，精度±0.1℃
4. 測(cè)試結(jié)果Excel，JPEG波形，波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析
5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè))
6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開(kāi)放，按設(shè)定條件匹配電阻
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

 

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

基礎(chǔ)信息

高壓源：1200V（選配2000V）

高流源：100A（選配200A/300A/500A）

驅(qū)動(dòng)電壓：±20V（選配±30V）

時(shí)間分辨率：1ns（選配400ps/200ps/100ps）

系統(tǒng)雜感：＜20nH

測(cè)試對(duì)象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（選配BJT）

變溫測(cè)試：常溫~150℃/200℃

感性負(fù)載：程控電感（0.01~160mH，步進(jìn)10uH） 

阻性負(fù)載：程控電阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）備用三個(gè)

測(cè)試管型：可以測(cè)試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023

 

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

試驗(yàn)原理舉例

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

技術(shù)特點(diǎn)

1. 專(zhuān)注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè)，軟件程控，測(cè)試條件界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試

2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)

3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃，精度±0.1℃

4. 測(cè)試結(jié)果Excel，JPEG波形，波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析

5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè))

6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開(kāi)放，按設(shè)定條件匹配電阻

7. DualARM控核，DSP數(shù)據(jù)采樣計(jì)算，極大減少控制時(shí)延誤差

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

試驗(yàn)?zāi)芰?/span>

標(biāo)配：開(kāi)通特性測(cè)試單元/Turn_ON

標(biāo)配：關(guān)斷特性測(cè)試單元/Turn_OFF

標(biāo)配：二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Trr

標(biāo)配：柵電荷測(cè)試單元/Qg¨

選配：容阻測(cè)試單元/CR¨

選配：短路測(cè)試單元/SC¨

選配：雪崩測(cè)試單元/UIS¨

選配：安全工作區(qū)單元/SOA¨

選配：動(dòng)態(tài)電阻單元/

 

陜西天士立科技有限公司

專(zhuān)注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

參數(shù)指標(biāo)

 

√ 標(biāo)配（阻性/感性）開(kāi)關(guān)測(cè)試單元 / Turn_ON/OFF

漏極電壓： 5V-1200V， 分辨率 1V

漏極電流： 1A-100A， 分辨率1A；

柵極驅(qū)動(dòng)： ±20V （選配±30V）， 分辨率 0.1V

柵極電流： 2A/MAX

脈沖寬度： 1us-500us,步進(jìn) 0.1us

時(shí)間精度： 1ns

感性負(fù)載： 0.01mH-160mH 程序控制， 步進(jìn) 10uH

阻性負(fù)載： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω ,  程控， 備用三個(gè)電阻

開(kāi)關(guān)時(shí)間： ton/toff： 1-10000ns分辨率1ns （選配400/200/100ps）

開(kāi)關(guān)延遲： td(on)/td(off）： 0.1-10000ns@1ns （選配400/200/100ps）

上下時(shí)間/tr/tf： 1-10000ns分辨率1ns （選配400/200/100ps）

開(kāi)關(guān)損耗/ Eon/Eoff： 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

 

 

√ 標(biāo)配  柵極電荷單元 / Qg

驅(qū)動(dòng)電流： 0-2mA， 分辨率 0.01mA

2-20mA， 分辨率 0.1mA

20mA-200mA， 分辨率 1mA

柵極電壓： ±20V （選配±30V） @0.1V

恒流源負(fù)載： 1-25A， 分辨率0.1A

25-100A(選配200A/300A)@1A

漏極電壓： 5-100V， 步進(jìn) 0.1V

100-1200V， 步進(jìn) 1.0V

柵極電荷 Qg： 1nC-100µC

漏極電荷 Qgs： 1nC-100µC

源極電荷 Qgd： 1nC-100µC

平臺(tái)電壓 Vgp： 0~30V， 分辨率 0.1V

 

√ 標(biāo)配  二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元 / Qrr_FRD

正向電流： 1A-25A， 分辨率 0.1A

25A-100A （選配200A/300A） 分辨率 1A

反向電壓： 5v-100V， 步進(jìn) 0.1V

100V-1200V， 步進(jìn) 1.0v

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr： 1-10000ns， 最小分辨率1ns （選配400/200/100ps）

反向恢復(fù)電荷 Qrr： 1nC-100µC， 最小分辨率 1nC；

反向恢復(fù)電流 Irm： 1A-100A （選配200A/300A）；

反向恢復(fù)損耗 Erec： 1-2000mJ， 最小分辨率 1uJ；

電流下降率 dif/dt： 50-1kA/us；

電壓變化率 dv/dt： 50-1kV/us。

 

¨ 選配  短路特性測(cè)試單元/ SC

電流： 1000A/MAX

脈寬： 1us~100us

柵驅(qū)電壓： ±20V （選配±30V） @0.1V

漏極電壓： 5V~100V， 0.1V 分辨率

100V~1200V， 1.0V 分辨率

 

¨ 選配  雪崩測(cè)試單元 / UIS

雪崩耐量/EAS： 100J

雪崩擊穿電壓/2500V

雪崩電流/IAS： 1.0-400A 分辨率 1.0A

感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH， 程控可調(diào)

 

¨ 選配  容阻測(cè)試單元 / CR

掃頻范圍： 0.1MHz～5MHz

漏源極電壓： 1200V， 分辨率 1V

 

¨ 選配  動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy

 


 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

 


晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200

 

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