R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強(qiáng)CVD設(shè)備(1200℃單溫區(qū) 4路MFC)設(shè)備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機(jī)構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機(jī)構(gòu)、質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子泵組等部分構(gòu)成。
特點
1. 相比于其他的石墨烯制備設(shè)備,能提供更高的基底真空,提高產(chǎn)物質(zhì)量;2. 能夠利用旋轉(zhuǎn)和傾斜機(jī)構(gòu)實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn),使顆粒型樣品表面均勻生長產(chǎn)物;
3. 等離子發(fā)生裝置能夠顯著降低反應(yīng)溫度,提高反應(yīng)效率。
技術(shù)參數(shù)
單溫區(qū)管式爐 | 產(chǎn)品型號 | CY-O1200-100IT | |
爐管材質(zhì) | 高純石英 | ||
爐管直徑 | 100mm | ||
爐管長度 | 1500mm | ||
爐膛長度 | 440mm | ||
加熱區(qū)長 | 400mm | ||
恒溫區(qū)長 | 200mm | ||
工作溫度 | 0~1100℃ | ||
控溫精度 | ±1℃ | ||
控溫模式 | 30段或50段程序控溫 | ||
顯示模式 | 高清全彩LCD觸控屏 | ||
密封方式 | 304不銹鋼真空法蘭 | ||
供電電源 | AC:220V 50/60Hz | ||
RF輸出系統(tǒng) | 功率范圍 | 0~500W可調(diào) | |
工作頻率 | 13.56MHz+0.005% | ||
工作模式 | 連續(xù)輸出 | ||
匹配阻抗模式 | 能夠匹配,起輝均勻布滿爐管 | ||
功率穩(wěn)定度 | ≤2W | ||
正常工作反射功率 | ≤3W | ||
放大反射功率 | ≤70W | ||
諧波分量 | ≤-50dBc | ||
整機(jī)效率 | ≥70% | ||
功率因素 | ≥90% | ||
供電電壓/頻率 | 單相交流(187V~153V) 頻率50/60Hz | ||
控制模式 | 內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊 | ||
電源保護(hù)設(shè)置 | DC過流保護(hù),功放過溫保護(hù),反射功率保護(hù) | ||
冷卻方式 | 強(qiáng)制風(fēng)冷 | ||
起輝長度 | 在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管 | ||
供氣系統(tǒng) | 流量計 | 四路質(zhì)子流量計 | |
流量范圍 | MFC1量程:0~200sccm MFC2量程:0~200sccm MFC3量程:0~500sccm MFC4量程:0~500sccm 分別對應(yīng)氣體H2、 CH4、 N2、 Ar. | ||
測量精度 | ±1.5%F.S | ||
重復(fù)精度 | ±0.2%FS | ||
線性精度 | ±1%F.S. | ||
響應(yīng)時間 | ≤4s | ||
工作壓力 | -0.15Mpa~0.15Mpa | ||
流量控制 | 液晶觸摸屏控制,數(shù)字顯示,每路氣體含有針閥單獨控制 | ||
進(jìn)氣接口 | 可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 | ||
出氣接口 | 可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 | ||
連接方式 | 雙卡套接頭 | ||
工作溫度 | 5~45℃ | ||
氣體預(yù)混 | 配氣體預(yù)混裝置 | ||
排氣系統(tǒng)
| 產(chǎn)品型號 | CY-GZK103-A | |
分子泵 | 渦輪分子泵 | ||
前級泵 | 雙級旋片泵 | ||
抽氣速率 | 分子泵:600L/S | 綜合抽氣性能:30分鐘真空度可達(dá):5×10E-3Pa | |
旋片泵:1.1L/S | |||
極限真空 | 5×10E-4Pa | ||
抽氣接口 | KF40 | ||
排氣接口 | KF16 | ||
真空測量 | 復(fù)合真空計 | ||
旋轉(zhuǎn)及傾斜裝置 | 轉(zhuǎn)速范圍 | 0-20rpm | |
傾斜角度 | 0-15° | ||
進(jìn)出料 | 自動進(jìn)料,傾斜后可自動集料 |