詳細介紹
本設(shè)備為桌面型不銹鋼腔體單靶磁控鍍膜儀,可用于金屬薄膜的制備,在電子領(lǐng)域、光學領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用,也可實驗室SEM樣品制備。
本套配置采用高真空不銹鋼腔體,腔體設(shè)置帶擋板的石英觀察窗,便于實驗的觀察記錄;腔體設(shè)計真空性能優(yōu)良,造型小巧,十分適合實驗室使用。同時設(shè)備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺,可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機采用模塊化設(shè)計,操作邏輯簡單,操作界面直觀,利于上手。
不銹鋼腔體單靶磁控鍍膜儀技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 桌面型不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀 |
產(chǎn)品型號 | CY-MSP190S-1T-A |
安裝條件 | 1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh; 2、設(shè)備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地; 3、額定功率:1000w; 4、設(shè)備用氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純度 ≥99.99%; 5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm,承重 50kg 以上; 6、擺放位置要求通風散熱良好。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、 濺射電源:直流電源300W;*大輸出電壓600V,極限輸出電流500mA 2、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合擋板; 3、 磁控靶適用靶材: φ50mm x 3mm厚 4、 腔體尺寸:外徑φ194mm ,內(nèi)徑186mm x 高230mm; 5、 腔體材質(zhì): 304不銹鋼 6、 旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺:轉(zhuǎn)速1~20rpm 連續(xù)可調(diào);加熱溫度*高500℃,升溫速度推薦10℃/min,*高20℃/min。 7、 冷卻方式:磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機; 8、 水冷機:水箱容積9L,流速10L/min 9、 供氣系統(tǒng):質(zhì)量流量計, 氣體類型Ar氣,流量1~30sccm(可定制); 10、 流量計精度:±1.5%量程 11、 真空腔體抽氣接口為 KF40; 12、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭; 13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏; 14、 可調(diào)節(jié)濺射電流,可設(shè)置濺射安全電流值、安全真空值; 15、 安全保護:過流、真空過低自動切斷濺射電流; 16、 極限真空:5E-4Pa(搭配分子泵); 17、 真空測量為電阻規(guī)真空計,其量程為:1~105Pa |
注意事項 | 1、磁控濺射工作真空較高,一般在2Pa之內(nèi),需要配分子泵使用。 2、為了達到較高的無氧環(huán)境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。 3、磁控濺射對進氣量比較敏感,需要使用質(zhì)量流量計控制進氣量 |
可選配件 | |
膜厚監(jiān)測儀 | 1、膜厚分辨率:0.0136?(鋁) 2、膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置, 材料應(yīng)力,溫度和密度 3、測量速度:100ms-1s/次,可設(shè)置測量范圍:500000?(鋁) 4、標準傳感器晶體:6MHz 5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35 |
其他配件 | 1、CY-CZK103系列高性能分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~105Pa); CY-GZK60系列小型分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~102Pa) VRD-4雙極旋片真空泵; 2、KF40真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF40卡箍支架 3、膜厚儀晶振片; |