RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀測(cè)量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計(jì)；體積僅為：185mm（長(zhǎng)）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：3...

ST-21型方塊電阻測(cè)試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準(zhǔn)電源和運(yùn)算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數(shù)，使儀器具有體積小...

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)...

PN-30型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

PN-12型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目...

CV-2000型電容電壓特性測(cè)試儀作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN...

CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測(cè)試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測(cè)試手段，通過C-V測(cè)試達(dá)到優(yōu)化生...

RTS-11型金屬四探針測(cè)試儀于測(cè)試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻測(cè)量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；是運(yùn)用四探針...

RTS-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。...

RTS-9型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合（亦稱雙位組合）測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控...

RTS-4四探針測(cè)試儀儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。本儀器適用于半導(dǎo)體材...

RTS-8型四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料...