分子篩|比表面積及孔徑檢測(cè)儀 返回列表頁

V-Sorb 2800比表面積及孔徑檢測(cè)儀是金埃譜科技自主研發(fā)的全自動(dòng)智能化比表面積和孔徑測(cè)量?jī)x器,采用靜態(tài)容量法測(cè)量原理.相比國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品,多項(xiàng)*技術(shù)的采用使產(chǎn)品整體性能更加完善,測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和*性進(jìn)一步提高,測(cè)試過程的穩(wěn)定性更強(qiáng),達(dá)到同類產(chǎn)品*水平,部分功能超越國(guó)外產(chǎn)品.

金埃譜科技是早參與比表面積標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)標(biāo)定的機(jī)構(gòu),測(cè)試結(jié)果與國(guó)外數(shù)據(jù)可比性平行性,并獲取上海*檢測(cè)證書,同時(shí)金埃譜科技也是國(guó)內(nèi)同行業(yè)中注冊(cè)資本超百萬的生產(chǎn)企業(yè),讓您選購的產(chǎn)品無后顧之憂!

全自動(dòng)容量靜態(tài)法比表面積及孔徑檢測(cè)儀性能參數(shù)

測(cè)試方法及功能:真空容量法（真空靜態(tài)法）,吸附及脫附等溫線測(cè)定,BJH總孔體積及孔徑分布分析,樣品真密度測(cè)定,t-plot圖法微孔分析,MP法微孔分析,HK法微孔分析,BET法比表面積測(cè)定（單點(diǎn)及多點(diǎn)）,Langmuir法比表面積測(cè)定,t－plot圖法外比表面積測(cè)定

測(cè)定范圍:0.01（m2/g）--至無上限（比表面積）;0.35nm-300nm（孔徑）

測(cè)量精度:重復(fù)性誤差小于1.5%

真空系統(tǒng):*的集裝式管路及電磁閥控制系統(tǒng),大大減小管路死體積空間,提高檢測(cè)吸附氣體微量變化的靈敏度,從而提高孔徑分布測(cè)定的分辨率;同時(shí)集裝式管路減少了連接點(diǎn),大大提高密封性和儀器使用壽命.

液位控制:*的液氮面控制系統(tǒng),確保測(cè)試全程液氮面相對(duì)樣品管位置保持不變,*消除因死體積變化引入的測(cè)量誤差.

控制系統(tǒng):采用可編程控制器電磁閥控制系統(tǒng),高集成度和抗*力,提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命.

樣品數(shù)量:同時(shí)進(jìn)行2個(gè)樣品分析和2個(gè)樣品脫氣處理

壓力測(cè)量:采用壓力分段測(cè)量的進(jìn)口雙壓力傳感器,顯著提高低 P/Po點(diǎn)下測(cè)試精度,0-1000 Torr（0-133Kpa）,0-10 Torr （0-1.33Kpa）

壓力精度:進(jìn)口硅薄膜壓力傳感器,精度達(dá)實(shí)際讀數(shù)的0.15％,優(yōu)于全量程的0.15％,遠(yuǎn)高于皮拉尼電阻真空計(jì)精度（一般誤差為10%-15％）

分壓范圍:P/Po 準(zhǔn)確可控范圍達(dá)5x10－6－0.995

極限真空:4x10－2Pa （3x10－4Torr）

樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等

測(cè)試氣體:高純N2氣（99.999%）或其它（按需選擇如Ar,Kr）

數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,誤差小,抗*力強(qiáng).

數(shù)據(jù)處理:Windows兼容數(shù)據(jù)處理軟件,功能完善,操作簡(jiǎn)單,多種模式數(shù)據(jù)分析,圖形化數(shù)據(jù)分析結(jié)果報(bào)表.

全自動(dòng)容量靜態(tài)法比表面積及孔徑檢測(cè)儀特點(diǎn)

A.比表面積及孔徑檢測(cè)儀真空系統(tǒng)

1）*的一體化集裝式管路系統(tǒng),采用進(jìn)口集裝管路,顯著減少管路連接點(diǎn),大大降低漏氣率,提高極限真空度.

2）模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),一體式集裝管路,需人工進(jìn)行連接的部件少,有利于根據(jù)用戶需求按需配置及后期功能擴(kuò)展,有利于維修更換.

3）采用中德合資的真空泵,噪音小,運(yùn)行穩(wěn)定,防油返功能,極限真空度高,可達(dá)4x10－2Pa （3x10－4Torr）

B.比表面積及孔徑檢測(cè)儀控制系統(tǒng)

1）采用廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的可編程控制器電磁閥控制系統(tǒng),抗*力強(qiáng),穩(wěn)定性大大提高,安裝及拆卸都非常方便;

2）*設(shè)計(jì)的測(cè)試系統(tǒng)管路和樣品處理管路分離結(jié)構(gòu),有效防止樣品處理過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)對(duì)測(cè)試管路的污染.

C.比表面積及孔徑檢測(cè)儀提高測(cè)試精度措施

1）采用與同類進(jìn)口產(chǎn)品相同品牌的高精度硅薄膜壓力傳感器,壓力測(cè)量精度為相應(yīng)讀數(shù)的0.15％,遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于0.15％的全量程精度（FS）傳感器;

2）與國(guó)外同類產(chǎn)品類似,采用0－10Torr和0－2000Torr雙壓力傳感器,對(duì)測(cè)試范圍內(nèi)的壓力采用分段測(cè)量,大大降低了低真空下的測(cè)量誤差,0－10Torr的硅薄膜壓力傳感器精度遠(yuǎn)高于相同量程的皮拉尼電阻真空計(jì)（一般誤差為10%-15％）;

3）*的一體化集裝式管路系統(tǒng),采用進(jìn)口集裝管路,顯著減少管路連接點(diǎn),大大減少死體積空間,有利于降低測(cè)量誤差;

4）*的步進(jìn)式液氮面控制系統(tǒng),確保測(cè)試全程液氮面相對(duì)樣品管位置保持不變,*消除因死體積變化引入的測(cè)量誤差;

5）*設(shè)計(jì)的抽氣及進(jìn)氣控制系統(tǒng),有效防止樣品抽真空和進(jìn)氣過程中的飛濺,確保測(cè)試氣路的清潔和樣品質(zhì)量無損失,保護(hù)高精度壓力傳感器免受壓力巨變可能導(dǎo)致的零點(diǎn)和線性漂移.

D.比表面積及孔徑檢測(cè)儀數(shù)據(jù)采集及處理

1）采用高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,連接方便,誤差小,抗*力;采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的485通訊模式,有利于設(shè)備擴(kuò)展和互連,可方便轉(zhuǎn)換為所需的RS232和USB通訊模式;

2）多種理論計(jì)算模型數(shù)據(jù)分析,為用戶提供*的材料分析方案;強(qiáng)大的測(cè)試數(shù)據(jù)歸檔保存,查詢系統(tǒng),有利于用戶數(shù)據(jù)管理.