蔡康晶圓硅片缺陷觀測(cè)儀（DJM-200C），于對(duì)硅片的缺陷進(jìn)行觀察，效果非常明顯，包括肉眼無法觀測(cè)的位錯(cuò)、層錯(cuò)、劃痕、崩邊等。
光伏硅片質(zhì)量檢測(cè)中，有很多項(xiàng)目，比如：破片、缺角、孔洞和翹曲等等。為什么會(huì)有這些檢測(cè)項(xiàng)目？有些項(xiàng)目很容易理解，比如：破片、缺角等不僅會(huì)影響賣相，還會(huì)造成后續(xù)電池片生產(chǎn)的問題，甚至影響轉(zhuǎn)換效率。但孔洞，尤其是很小很小的孔洞，似乎沒什么大不了。其實(shí)不然，新的研究表明，小小的孔會(huì)造成大大的問題。就好像千里之堤，毀于蟻穴。
| 晶圓檢測(cè)儀，多晶硅缺陷分析儀，太陽能硅板檢測(cè)儀，太陽能光伏單晶硅片缺陷分析 一：蔡康晶圓檢測(cè)儀，多晶硅缺陷分析儀，太陽能硅板檢測(cè)儀DJM-200C概述和硅片缺陷檢測(cè)方法和應(yīng)用范圍： | ||||||||||||||||||||
| （一）光伏硅片質(zhì)量檢測(cè)中，有很多項(xiàng)目，比如：破片、缺角、孔洞和翹曲等等。為什么會(huì)有這些檢測(cè)項(xiàng)目？有些項(xiàng)目很容易理解，比如：破片、缺角等不僅會(huì)影響賣相，還會(huì)造成后續(xù)電池片生產(chǎn)的問題，甚至影響轉(zhuǎn)換效率。但孔洞，尤其是很小很小的孔洞，似乎沒什么大不了。其實(shí)不然，的研究表明，小小的孔會(huì)造成大大的問題。就好像千里之堤，毀于蟻穴。 1.孔洞：大量存在，3～10um，人眼不易發(fā)現(xiàn)。必須用背光源。 孔洞的危害：經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)***，硅晶片上孔洞會(huì)造成加工成電池片的短路，降低電池片的轉(zhuǎn)換效率；如果因?yàn)楣杵系目锥葱纬傻亩搪穳K剛好落在柵線上，就會(huì)造成大面積的短路，加大電池片的漏電流，影響轉(zhuǎn)換效率。所以必須檢測(cè)孔洞，一般人眼能分辨0.3mm以上的孔洞，0.003～0.01mm的孔洞只能借助與光學(xué)的檢測(cè)手段來實(shí)現(xiàn)。檢測(cè)時(shí)需采用高亮度的白色背光源，穿透力強(qiáng)的光經(jīng)過孔洞后，部分頻率的分量會(huì)使相機(jī)感光，形成藍(lán)綠色的成像。相機(jī)的像素分辨率需要做得很高，比如一個(gè)像素等于0.005mm，這樣有機(jī)會(huì)捕捉到3um～10um孔透過的光，并由軟件識(shí)別。 2.硅片翹曲或彎曲：不能忽視。硅片翹曲不僅使得做成電池片后尺寸不合乎要求，而且還會(huì)造成斷柵。 研究表明：因?yàn)楣杵N曲，做成電池片后，通過EL檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)里面有絲狀裂紋或花斑，但做成模組后，花斑情況有改善。分析表明，因?yàn)殡姵仄N曲（根源上是硅片翹曲），在絲印時(shí)會(huì)造成印刷不均勻，形成斷柵。 硅片的翹曲需要采用3D的檢測(cè)方法，具體表征硅片翹曲的指標(biāo)有TTV、MTV等等。檢測(cè)的方法可以采用將結(jié)構(gòu)光（線激光）投射到硅片上，用相機(jī)進(jìn)行拍照；通過軟件分析光線成像的幾何特征，可以計(jì)算出TTV、MTV等指標(biāo)，跟標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比對(duì)，可以得出硅片翹曲是否在可以接受的范圍。 以上兩點(diǎn)，是的研究發(fā)現(xiàn)。如果檢測(cè)不到位，“后果很嚴(yán)重”。電池片廠家在來料檢測(cè)上，不可不注意。 產(chǎn)品介紹： 蔡康晶圓硅片缺陷觀測(cè)儀（DJM-200C），于對(duì)硅片的缺陷進(jìn)行觀察，效果非常明顯，包括肉眼無法觀測(cè)的位錯(cuò)、層錯(cuò)、劃痕、崩邊等。 實(shí)時(shí)對(duì)圖像進(jìn)行分析、測(cè)量和統(tǒng)計(jì)，提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計(jì)算機(jī)等顯示、存儲(chǔ)設(shè)備，能更好的觀測(cè)和保存研究結(jié)果； 硅片缺陷觀測(cè)儀-產(chǎn)品特點(diǎn) ■適用于對(duì)硅片的缺陷觀察效果，非常明顯，包括肉眼無法觀測(cè)的位錯(cuò)、層錯(cuò)、劃痕、崩邊等； ■使硅片缺陷觀察工作簡(jiǎn)單化，準(zhǔn)確化，同時(shí)極大程度降低此項(xiàng)工作強(qiáng)度； ■實(shí)時(shí)對(duì)圖像進(jìn)行分析、測(cè)量和統(tǒng)計(jì)，提高傳統(tǒng)光學(xué)儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計(jì)算機(jī)等顯示、存儲(chǔ)設(shè)備，能更好的觀測(cè)和保存研究結(jié)果； ■使用 數(shù)字CCD攝像機(jī) 感光芯片，具有體積小，技術(shù)，像素較高，成像清晰、線條細(xì)膩、色彩豐富； ■傳輸接口為 USB2.0高速接口，軟件模塊化設(shè)計(jì)； ■有效分辨率為 1000萬像素； ■所配軟件能兼容 windows 7和 windows XP 操作系統(tǒng)。 | ||||||||||||||||||||
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| 蔡康晶圓缺陷分析儀DJM-200C,太陽能單晶硅片缺陷分析 | ||||||||||||||||||||
| （三）蔡康太陽能光伏單晶硅片缺陷分析儀技術(shù)介紹和儀器組成 一、大平臺(tái)太陽能硅片缺陷分析金相顯微鏡儀器的主要用途和特點(diǎn) | ||||||||||||||||||||
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| 太陽能光伏單晶硅片缺陷分析儀DJM-200C | ||||||||||||||||||||
| （二）蔡康硅片缺陷分析儀DJM-200C性能特點(diǎn)和系統(tǒng)組成： 1. 蔡康單晶硅缺陷分析儀DJM-200C利用工業(yè)級(jí)彩色高速攝象器進(jìn)行圖像或者視頻采集，高倍蔡康光學(xué)單晶硅片顯微鏡放大成像，圖像快速顯示于計(jì)算機(jī)，直接實(shí)時(shí)觀察熔深焊接形貌，利用專用軟件進(jìn)行熔深測(cè)量處理，形態(tài)統(tǒng)計(jì)分析，并打印出熔深分析報(bào)告。 | ||||||||||||||||||||
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| 1.硅片缺陷分析儀DJM-200 2.電腦適配鏡 3.數(shù)字彩色攝像機(jī)4.單晶硅片分析測(cè)量系統(tǒng) 5.計(jì)算機(jī)（選購） | ||||||||||||||||||||
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