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高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià) 20000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京百川宏宇交通設(shè)施有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)BCD-310
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/8/29 15:02:43
  • 訪問次數(shù)162
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北京百川宏宇交通設(shè)施有限公司是一家技術(shù)型企業(yè)。專業(yè)從事檢測(cè)、力學(xué)、實(shí)驗(yàn)室設(shè)備、環(huán)境儀器等檢測(cè)儀器研究、開發(fā)、生產(chǎn)及銷售為一體的企業(yè)。主營(yíng)產(chǎn)品有過濾器完整性檢測(cè)儀,toc總有機(jī)碳分析儀,介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀,電壓擊穿試驗(yàn)儀,絕緣電阻測(cè)試儀等。公司擁有專業(yè)技術(shù)隊(duì)伍和營(yíng)銷隊(duì)伍,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,性價(jià)比高。本公司成立的初衷就是希望通過我們豐富的經(jīng)驗(yàn)給客戶提供比產(chǎn)品本身更有價(jià)值的東西,來幫助客戶選擇儀器,必要時(shí)來指導(dǎo)客戶操作儀器。 在這一點(diǎn)上百川在市場(chǎng)上受到廣大用戶及經(jīng)銷商的歡迎和好評(píng)。本公司所銷售的儀器,都是經(jīng)過一段時(shí)間的市場(chǎng)考驗(yàn)后,由我們的工程師進(jìn)行評(píng)估后才決定是否進(jìn)行推薦銷售。所以這里每一款產(chǎn)品都是我們?yōu)槟艏?xì)選的。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的今天,價(jià)格因素往往起到了決定性作用,但是我們堅(jiān)信,只有高質(zhì)的產(chǎn)品才能給客戶解決工作中實(shí)際問題,只有高質(zhì)的服務(wù)才能讓客戶購(gòu)買正確的檢測(cè)儀器,購(gòu)買后沒有后顧之憂。本著誠(chéng)信、服務(wù)、務(wù)實(shí)、創(chuàng)新的經(jīng)營(yíng)理念,“提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)”,在制藥、化工、環(huán)保、科研、大學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域開拓了廣泛的市場(chǎng),贏得了廣大用戶的支持和信賴。在今后的發(fā)展中,我們將一如既往地把國(guó)內(nèi)外的儀器設(shè)備介紹并提供給國(guó)內(nèi)的用戶,孜孜追求,不懈努力,不斷提高服務(wù)水平,為提升用戶的檢測(cè)水平和科研水平貢獻(xiàn)各自的綿薄之力,與廣大用戶共同享受科技成果,在互利協(xié)作中共同進(jìn)步。 我們擁有充滿活力的高素質(zhì)銷售隊(duì)伍和技術(shù)全面、經(jīng)驗(yàn)豐富的售后服務(wù)隊(duì)伍,這既是我們公司發(fā)展的源泉,也是我們向客戶提供良好服務(wù)的保證。客戶對(duì)公司的充分信賴和鼎力支持是我們賴以發(fā)展的基礎(chǔ),  北京百川宏宇交通設(shè)施有限公司將與廣大用戶一起努力、一起進(jìn)步!

四探針電阻測(cè)定儀,toc總有機(jī)碳在線分析儀,完整性測(cè)試儀,電子拉力機(jī),介電常數(shù)儀,電壓擊穿試驗(yàn)儀
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示,無需人工計(jì)算,并帶有溫度補(bǔ)償功能,電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇,BCD-310 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。
高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)

導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。但凡注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1552硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定直排四探針法樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5",測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1,范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層,方塊電阻的測(cè)量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量,但其測(cè)量準(zhǔn)確度尚未評(píng)估。使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件,測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差,引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子,計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

概述:采用四端測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,實(shí)驗(yàn)室;是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具??膳渲貌煌瑴y(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率。液晶顯示,溫度補(bǔ)償功能,自動(dòng)量程,自動(dòng)測(cè)量電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出;選配:PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器,薄膜按鍵操作簡(jiǎn)單,中文或英文兩種語言界面選擇,電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表,量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%,直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距,四探針應(yīng)以等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R,)計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F,見式(4)。對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … 


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