一、應(yīng)用領(lǐng)域
該設(shè)備用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系沉積??慑兏鞣N硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜,亦可鍍鐵磁材料。圖示鍍膜機(jī)為雙腔室,共用高真空系統(tǒng);為避免交叉污染,一個(gè)腔室可實(shí)現(xiàn)電子槍/電阻蒸發(fā)鍍膜,另一腔室可實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜。
二、性能參數(shù)
1. 極限真空壓力:5×10-5Pa;
2. 磁控靶:直徑Φ50 數(shù)量:2-4只;
3. 靶單位面積功率:(W/cm2)5~20;
4. 靶電源功率(W):DC500W,RF500W;
5. 基片加熱溫度:0~500℃可控;
6. 工藝氣體:MFC 1-3路;
7. 樣品架:公轉(zhuǎn) 2-20rpm可調(diào);
8. 電子槍:1套 6-10KW 電(氣)動(dòng)擋板;
9. 蒸發(fā)電源:數(shù)量:1-2組 功率:2KW 電壓:0-35V;
10. 其它配置:偏壓、膜厚儀、薄膜規(guī)、磁控靶電(氣)動(dòng)擋板可選;