| 產(chǎn)品介紹 |
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| 超聲波石墨烯剝離器 DH99-IIDN是專門用于石墨烯制備過程。通過對液體的介質(zhì)施加超聲波，發(fā)揮超聲波所的空化效應(yīng)、機械效應(yīng)等達(dá)到加工的目的，是目前石墨烯制備和應(yīng)用中的重要環(huán)節(jié)。 DH99系列超聲波產(chǎn)品，是利用超聲波的空化作用來分散團聚的顆粒。它是將所需處理的顆粒懸浮液（液態(tài)）放入聲場中，用適當(dāng)?shù)某曊穹右蕴幚?。由于粉體顆粒團聚的固有特征，對于一些在介質(zhì)中分散得不好的粉體，可加入適量的分散劑使之保持分散穩(wěn)定狀態(tài)，一般可達(dá)到幾十個納米，甚至更小，該產(chǎn)品尤其用于分散納米材料（如碳納米管、石墨烯、二氧化硅等）有良好效果。 |
| 產(chǎn)品特點 |
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| 一、聚能式大功率循環(huán)超聲，超聲波效率更高更強 |
| 二、可擴展性強，從中試型10L至生產(chǎn)型250L均可選擇 |
| 三、30mm以上特制高振幅探頭帶來強勁能效 |
| 四、可選配帶冷卻夾套的處理腔，避免樣品過熱 |
| 五、優(yōu)質(zhì)SUS304不銹鋼材料具有耐蝕性、耐熱性、低溫強度和機械性能，無磁性等優(yōu)點。 |
| 六、帶有機械攪拌功能可使分散過程分散更均勻。 |
| 石墨介紹 |
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| 石墨烯是由單層碳原子構(gòu)成的薄、最硬的二維材料，其十分良好的強度、柔韌、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、光學(xué)特性，在各大領(lǐng)域都有重要的作用。自然狀態(tài)下不存在單層石墨烯材料一般以三維的石墨存在，要在石墨中提取單層石墨烯變得非常重要。 |
| 超聲石墨烯分散原理 |
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| 超聲波石墨烯分散設(shè)備是利用超聲波的空化作用來分散團聚的顆粒。它是將所需處理的顆粒懸浮液（液態(tài)）放入聲場中，用適當(dāng)?shù)某曊穹右蕴幚?。在空化效?yīng)，高溫，高壓，微射流，強振動等附加效應(yīng)下，分子間的距離會不斷增加，最終導(dǎo)致分子破碎，形成單分子結(jié)構(gòu)。該產(chǎn)品尤其對于分散納米材料（如碳納米管、石墨烯、二氧化硅等）有良好效果。 |
| 自然界中存在大量的石墨材料，厚1毫米的石墨大約包含300萬層石墨烯。單層石墨被稱為石墨烯，在自由狀態(tài)下不存在該物質(zhì)，都以多層石墨烯層疊的石墨片的形式存在。由于石墨片的層間作用力較弱，可以通過外力進行層層剝離，從而獲得只有一個碳原子厚度的單層石墨烯。 |
| 超聲波石墨烯分散也稱超聲波石墨烯剝離，使用氧化石墨還原法，配合超聲波振動能有效地提高氧化石墨層間距，層間距較大的氧化石墨不僅有利于其他分子、原子等插入層間形成氧化石墨插層復(fù)合材料，而且易于被剝離成單層氧化石墨，為進一步制備單層石墨烯打下基礎(chǔ)。 |
| 技術(shù)參數(shù) | |
|---|---|
| 型號： | DH99-IIDN |
| 頻率： | 19.5-20.5KHz |
| 功率： | 1800W |
| 隨機變幅桿： | Φ25 |
| 可選配變幅桿： | Φ15、20 |
| 破碎容量： | 10-2000ml |
| 占空比： | 1-99% |
| 電源： | 220/110V 50Hz/60Hz |
| 電源機箱尺寸： | 400×280×220mm |
| 凈重： | 13.1kg |
| 主機+換能器重量： | 15.0kg |
| 外包裝尺寸： | 534×295×435mm |
| 探頭型號選擇 | |
|---|---|
| 型號 | 破碎細(xì)胞容量 |
| Φ10mm | 10ml－500ml |
| Φ15mm | 50ml－1000ml |
| Φ20mm | 100ml－2000ml |
| 石墨烯常用的分散方法 |
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| 1.微機械剝離法 |
| 用膠帶直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來，不斷重復(fù)這個過程。 使用一種材料與膨化或引入缺陷的熱解石墨進行摩擦，體相石墨的表面會產(chǎn)生絮片狀的晶體，絮片狀晶體中含有單層石墨烯。 缺點：石墨烯產(chǎn)量低，面積小，難以精確控制尺寸，效率低，不能大規(guī)模制備。 |
| 2.化學(xué)氣相沉積法 |
| 將一種或多種含碳的氣態(tài)物質(zhì)（通常為低碳的有機物氣體）通入到真空反應(yīng)器中，通過高溫使含碳的氣體分解碳化（通常為低碳的有機物氣體），在基底表面生長出一種碳單質(zhì)的過程。 缺點：石墨烯的六角蜂窩狀晶體結(jié)構(gòu)，無法石墨化，品質(zhì)不如微機剝離法的好，高昂的成本及苛刻的設(shè)備要求都限制了其規(guī)?；苽涫?，還需要加入催化劑降低了石墨烯純度。 |
| 3.晶體外延取向生長法 |
| 一種是通過加熱單晶 6H-SiC 脫除 Si，從而在 SiC 晶體表面外延生長石墨烯。石墨烯和 Si 層接觸，這種石墨烯的導(dǎo)電性受到基底影響；另一種是利用金屬單晶中的微量碳成分，通過在超高真空下高溫退火，金屬內(nèi)碳元素在金屬單晶表面析出石墨烯。 缺點：石墨烯薄膜厚度不均勻，難以控制，生成的石墨烯緊緊地黏貼在基底上難以剝離，會影響石墨烯的特性。同時需在超真空及高溫條件下生長，條件極為苛刻，設(shè)備要求高，無法實現(xiàn)大規(guī)模、可控制備石墨烯。 |
| 4.氧化石墨還原法 |
| 氧化石墨烯一般由石墨經(jīng)強酸氧化而得。主要有三種制備氧化石墨的方法：Brodie法，Staudenmaier法和Hummers法，其中Hummers法石墨烯分散需加入超聲波輔助。 特點：Hummers法石墨烯分散：方法簡單，耗時較短，處理量大，安全無污染，是目前的一種。 |
| 5.超聲輔助法 |
| 超聲波石墨烯分散系統(tǒng)采用超聲波輔助Hummers法制備氧化石墨烯，是以液體為媒介，在液體中加入高頻率超聲波振動。由于超聲是機械波，不被分子吸收，在傳播過程中引起分子的振動運動?？栈?yīng)下，即高溫、高壓、微射流、強烈振動等附加效應(yīng)下分子間的距離因振動增加其平均距離，最終導(dǎo)致分子破碎。能更有效地提高氧化石墨層間距，且隨著超聲波功率的提高，所得到的氧化石墨的層間距呈擴大趨勢。 超聲波瞬間釋放的壓力破壞了石墨烯層與層之間的范德華力，使得石墨烯更加不容易團聚在一起。層間距較大的氧化石墨不僅有利于其他分子、原子等插入層間形成氧化石墨插層復(fù)合材料，而且易于被剝離成單層氧化石墨，為進一步制備單層石墨烯打下基礎(chǔ)。 |
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| 超聲波石墨烯剝離器 DH99-IIDN | Ultraven（超梵） | 下載 |
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