純化水處理工藝的發(fā)展
傳統(tǒng)處理工藝工藝流程:原水預(yù)處理→陽(yáng)/陰床→混床→純水 技術(shù)特點(diǎn):消耗大量酸堿,污染環(huán)境 |
現(xiàn)代處理工藝工藝流程:原水預(yù)處理→反滲透→混床→純水 技術(shù)特點(diǎn):消耗酸堿,任污染環(huán)境 |
全新處理工藝工藝流程:原水預(yù)處理→反滲透→EDI→純水 技術(shù)特點(diǎn):無(wú)需酸堿,保護(hù)環(huán)境 |
CDI與混床的區(qū)別
CDI | 混床 |
無(wú)需酸堿再生 | 需要酸堿再生 |
*,無(wú)廢水排放 | 需清洗,有廢水排放 |
連續(xù)運(yùn)行,水質(zhì)穩(wěn)定 | 需要停機(jī)再生,交換終端離子容易泄露 |
采用模塊化設(shè)計(jì),容易擴(kuò)展 | 不能滿(mǎn)足用戶(hù)未來(lái)的擴(kuò)展要求 |
占用空間小 | 占用空間大 |
預(yù)處理工藝特點(diǎn) CDI技術(shù)替代混床技術(shù),對(duì)進(jìn)水要求非常嚴(yán)格。預(yù)處理工藝復(fù)雜,原水進(jìn)入CDI系統(tǒng)之前,為了防止污染樹(shù)脂和膜,以及膜面結(jié)構(gòu),保護(hù)膜性能,應(yīng)先經(jīng)過(guò)過(guò)濾、吸附、軟化、脫氣等處理
| 軟化 在RO-CDI系統(tǒng)中使用陰垢劑會(huì)使透過(guò)RO膜的硬度增加,從而進(jìn)入CDI系統(tǒng)中,為了使CDI清洗頻率較小,CDI進(jìn)水硬度應(yīng)該較小。 |
脫氣 為了得到高電阻率高質(zhì)量的純水,進(jìn)水中的氣體也要出去,其中主要的是除去二氧化碳,低含量的二氧化碳可以使CDI膜塊更有效的去除二氧化硅。脫氣單元應(yīng)該至于RO之后。 |