在光照下,如果光子的能量大于半導體禁帶寬度,其價帶上的電子(e-)就會被激發(fā)到導帶上,同時在價帶上產生空穴(h+)。當存在合適的俘獲劑、表面缺陷或者其他因素時,電子和空穴的復合得到抑制,就會在催化劑表面發(fā)生氧化還原反應。價帶空穴是良好的氧化劑,導帶電子是良好的還原劑,在半導體光催化反應中,一般與表面吸附的H2O、O2反應生成.OH和超氧離子O2-,能夠把各種有機物直接氧化成CO2和H2O等無機小分子,電子也具有強還原性,可以還原吸附在其表面的物質。激發(fā)態(tài)的導帶電子和價帶空穴能重新合并,并產生熱能或其他形式散發(fā)掉。
光催化的技術特征:
1)低溫深度反應
光催化氧化可以在室溫下將空氣中的有機污染物氧化。
2)綠色能源
光催化可利用太陽光作為能源來活化光催化劑,驅動氧化還原反應,而且光催化劑在反應中并不消耗。從能源角度而言,這一特征使光催化技術更具優(yōu)勢。
3)氧化性強
大量研究表明,半導體光催化具有氧化性強的特點,對臭氧難以氧化的某些有機物都能有效地加以分解。
4)壽命長
理論上,光催化劑的壽命是無限長的。
5)廣譜性
光催化對從烴到墻酸的眾多種類有機物都有氧化效果,美國環(huán)保署公布的九大類114中污染物均被證實可通過光催化氧化法降解。