鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.
鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色：
? 真正的基片溫度測(cè)量，無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹:
如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
鹵素?zé)?span>RTP退火爐采用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫，如上圖，接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度，從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量。
技術(shù)參數(shù)：
基片尺寸 | 6英寸 |
基片基座 | 石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
溫度范圍 | 150-1250℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應(yīng) | 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
退火持續(xù)時(shí)間 | ≥35min@1250℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺寸 | 870mm*650mm*620mm |
基片類型:
? Siliconwafers硅片
? Compoundsemiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphirewafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
? Siliconcarbide wafers碳化硅基片
? Poly siliconwafers for solar cells用于太陽(yáng)能電池的多晶硅基片
? Glasssubstrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite andsilicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
鹵素?zé)鬜TP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl,SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽(yáng)能電池片鍵合等
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