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IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀華科智源

參考價	￥ 60000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號TC57300
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2020/10/23 15:09:21
訪問次數(shù)548

產(chǎn)品標(biāo)簽:

igbt測試儀 IGBT靜態(tài)測試儀半導(dǎo)體分立器件 IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

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深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠流長；華科智源公司核心團隊由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應(yīng)商，2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

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IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀華科智源主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀華科智源產(chǎn)品信息

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀概述

測試電壓：大1200 VDC 200（短路電流可達1000A）
定時測量：低為1 ns
漏電流限制監(jiān)視器
- MOSFET開關(guān)時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開關(guān)時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A

測試標(biāo)準(zhǔn)：
- MIL-STD-750 Series