.產(chǎn)品簡介
HD6000高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場或?qū)嶒?yàn)室測試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測試電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?0Hz、47.5Hz52.5Hz、45Hz55Hz、60Hz、57.5Hz62.5Hz、55Hz65Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工頻電場對測試的干擾,從根本上解決了強(qiáng)電場干擾下準(zhǔn)確測量的難題。同時(shí)適用于全部停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質(zhì)損耗。
HD6000高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀儀器主要具有如下特點(diǎn):
1.超大液晶中文顯示
操作簡單,儀器配備了的全觸摸液晶顯示屏,超大全觸摸操作界面,每過程都非常清晰明了,操作人員不需要額外的專業(yè)培訓(xùn)就能使用。輕輕點(diǎn)擊一下就能完成整個(gè)過程的測量,是目前非常理想的智能型介損測量設(shè)備。
2.海量存儲數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲器,保存數(shù)據(jù)200組,能將檢測結(jié)果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出。
3.科學(xué)*的數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出,可在任意一臺PC機(jī)上通過我公司軟件,查看和管理數(shù)據(jù)。
4.多種測試模式
儀器使用內(nèi)高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的方式測試,正接法、反接法、自激法。
5.CVT測試一步到位
該儀器還可以測試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量。
6.不拆高壓引線測量CVT
儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。
7.CVT反接屏蔽法測量C0
儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。
8.高速采樣信號
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
9.多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備設(shè)置接地檢測功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
二.工作原理
在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖2所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測量線路組成,被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過測量電路分別測得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數(shù)字信號處理器運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過矢量運(yùn)算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施,保證在外電場干擾下準(zhǔn)確測量。
三.技術(shù)參數(shù)
1 | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH<80% | ||
2 | 抗干擾原理 | 變頻法 | |||
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機(jī) | ||
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
精 度 | 2% | ||||
電流 | 200mA | ||||
容 量 | 2000VA | ||||
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 50HZ、60HZ單頻 45HZ/55HZ 47.5HZ/52.5HZ 55HZ/65HZ 57.5HZ/62.5HZ 自動雙變頻 | ||
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.001pF | ||
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) | |||
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF) | |||||
8 | 測量范圍 | tgδ | 無限制 | ||
C x | 15pF < Cx < 300nF | ||||
10KV | Cx < 40 nF | ||||
5KV | Cx < 150 nF | ||||
1KV | Cx < 300 nF | ||||
CVT測試 | Cx < 300 nF | ||||
9 | 外型尺寸(主機(jī))(mm) | 350(L)×270(W)×270(H) | |||
外型尺寸(附件箱)(mm) | 350(L)×270(W)×160(H) | ||||
10 | 存儲器大小 | 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲 | |||
11 | 重量(主機(jī)) | 22.75Kg | |||
重量(附件箱) | 5.25Kg |
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于測量一級接地的設(shè)備,儀器的外殼必須接地可靠,如變壓器連同套管和繞組的tgδ,套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法,對角接線等,不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式,取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。
需要說明的是現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)要創(chuàng)造條件,力求測試精度,如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法,應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺,以達(dá)到兩極絕緣的條件。
對于CVT中壓電容的tgδ測試,應(yīng)充分理解儀器的操作程序,按照其說明,操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。
交接規(guī)程的一般要求及條款:電力變壓器:當(dāng)電壓等級為35KV及以上,且容量在8000KVA以上時(shí),應(yīng)測試tgδ,其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗(yàn)值的130%,對于300MW或600MW機(jī)組的廠高變,一般未達(dá)到上述要求,交接試驗(yàn)可不作;但一般廠家出廠試驗(yàn)均有該項(xiàng)目的數(shù)據(jù),為充分體現(xiàn)對用戶負(fù)責(zé)的思想,建議測試以便比較,但不出試驗(yàn)報(bào)告。互感器:規(guī)定了20℃下電流互感器(油紙電容式)的tgδ,220KV≤0.6%,330KV≤0.5,500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi),只針對主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值,35KV的20℃時(shí)≤3.5%,35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管:現(xiàn)場一般有油紙電容式,20-500KV下,tgδ≤0.7%,電容差值在±10%范圍內(nèi)。說明一點(diǎn),不管電容式CT還是電容式套管,都會有末屏,應(yīng)在測主絕緣tgδ之前進(jìn)行末屏的測絕緣,用2500V搖表,應(yīng)大于1000MΩ,有的出廠試驗(yàn)也有末屏tgδ值,因此絕緣達(dá)不到要求時(shí),應(yīng)測tgδ以便比較,但是試驗(yàn)電壓應(yīng)控制在2KV。
另外,tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值,是因?yàn)闇囟葘gδ值的影響較大,一般隨著溫度上升,tgδ值也增大,因此規(guī)定了溫度換算,一般應(yīng)校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠家試驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較,換算公式為:
- 環(huán)境溫度高于20℃時(shí),tgδ20 = tgδt / A
- 環(huán)境溫度低于20℃時(shí),tgδ20 = tgδt * A
A:與20℃溫差值不同的換算系數(shù),見規(guī)程。
一般操作步驟和注意事項(xiàng):按常規(guī)的HD6000的操作規(guī)程與相應(yīng)的作業(yè)指導(dǎo)書相關(guān)條款進(jìn)行操作。試驗(yàn)應(yīng)良好的天氣、環(huán)境溫度不低于5℃和濕度不大于80%的條件下進(jìn)行,測試前應(yīng)測量被試品各電極間的絕緣電阻,必要時(shí)對小套管進(jìn)行清潔和干燥處理。
接地必須牢靠,符合“安規(guī)”中高壓試驗(yàn)的條款規(guī)定,正接法時(shí)低壓側(cè)的引線也應(yīng)有絕緣要求,不得與外殼接觸。
對于試驗(yàn)電壓的大小,前面提到P = U2 ωC tgδ,P與電壓有關(guān),良好絕緣的tgδ不會隨電壓的升高而明顯增加,但若有內(nèi)部缺陷時(shí)則tgδ會隨電壓的升高而明顯增加。因此對于試驗(yàn)電壓一般為10KV,但對于電容式套管或CT的末屏和電容式電壓互感器中壓電容的tgδ測試時(shí),則應(yīng)降低電壓標(biāo)準(zhǔn)使用2000V或3000V左右。測變壓器的tgδ時(shí)應(yīng)將其他側(cè)短接接地。
對試驗(yàn)結(jié)果的分析:應(yīng)根據(jù)廠家出廠試驗(yàn)數(shù)據(jù)和交規(guī)進(jìn)行綜合判斷,尤其應(yīng)注意避免套管末屏的臟污情況,還有環(huán)境溫度、濕度福州市高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)工廠福州市高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)工廠的影響,經(jīng)過出廠測試合格的產(chǎn)品若現(xiàn)場測試值差,一般應(yīng)考慮環(huán)境影響和受潮情況。例如湛江奧里油電廠500KV GIS 出線套管的過程防護(hù)的重要性和絕緣受潮經(jīng)烘烤測試合格的情況,說明高壓試驗(yàn)不能只關(guān)注試驗(yàn)本身,對于安裝單位來說,一定要關(guān)注產(chǎn)品的全過程。
對于介損測試儀應(yīng)定期進(jìn)行檢驗(yàn)。