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大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號HUSTEC-6030
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2019/11/27 19:04:42
  • 訪問次數(shù)500
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長;華科智源公司 核心團隊由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng),SMT智能首件檢測儀,首樣檢測,首板確認(rèn)
華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀,適用于芯片設(shè)計,產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試,設(shè)備模塊化程度高,測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用??梢愿鶕?jù)就用戶需求進行定制。大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源
大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源 產(chǎn)品信息

品牌 :

華科智源

型號 :

HUSTEC-2015

加工定制 :

類型 :

電參數(shù)測試儀

測量范圍 :

電壓2000V,電流1000A

精確度 :

正負(fù)1%精度

儀表尺寸 :

800*600*1800

適用范圍 :

在線檢修,來料檢驗,失效分析

儀表重量 :

100kg

工作電源 :

220V

規(guī)格 :

IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

測量精度 :

正負(fù)%1精度測量

功率 :

300W

頻率 :

50Hz

產(chǎn)品詳情 大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

Product details

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀,適用于芯片設(shè)計,產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試,設(shè)備模塊化程度高,測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用??梢愿鶕?jù)就用戶需求進行定制。

 

測試系統(tǒng)以2000A為一個電流模塊,以1500V為一個電壓模塊,電流電壓可升級;

1范圍

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求,并未對所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定,也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文,供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不*時,應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn) 大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀-華科智源

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀,功率半導(dǎo)體模塊測試系統(tǒng)的設(shè)計、制造、檢查、試驗等遵循如下國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn),但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。

GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則

GB19517-2004  國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范

GB/T 15153.1-1998 運動設(shè)備及系統(tǒng)

GB 4208-2008 外殼防護等級(IP代碼)(IEC 60529:2001,IDT)

GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標(biāo)志

GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件

GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗

GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備

GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用

GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則

GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制

GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器

GB/T 311.1 絕緣配合第1部分:定義、原則和規(guī)則

IEC 60747-2/GB/T 4023-1997      半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管

IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012     半導(dǎo)體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

 

 

3技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測試對象

*1)功能

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀,測試單元具備測試IGBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。具體測試參數(shù)及指標(biāo)詳見表格411。

*2)測試對象

被測器件主要IGBT模塊。

3.1.2  IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀,測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求,可自行定義。

以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進行。

1)圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義動態(tài)測試參數(shù)

IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。

圖2 IGBT開通過程及其參數(shù)定義

 

圖3 IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義

 

表格2 可測量的IGBT動態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

參數(shù)名稱

符號

開通延遲時間

td(on)

關(guān)斷延遲時間

td(off)

上升時間

tr

下降時間

tf

開通時間

ton

關(guān)斷時間

toff

開通損耗

Eon

關(guān)斷損耗

Eoff

柵極電荷

Qg

拖尾時間

tz

短路電流

ISC

/

/

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

參數(shù)名稱

符號

反向恢復(fù)電流

IRM

反向恢復(fù)電荷

Qrr

反向恢復(fù)時間

trr

反向恢復(fù)損耗

Erec

 3.1.華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀反偏安全工作區(qū)參數(shù)及指標(biāo)

3.1.4華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀保護安全功能

本測試單元應(yīng)具備完善的保護功能,除可有效保護操作人員不受事故傷害外,還在發(fā)生故障時不會造成設(shè)備自身的較大損壞,通過采取更換小型部件的方式即可修復(fù)。保護功能包括但不限于如下功能:

l *高壓測試前可選低壓預(yù)測試驗證系統(tǒng)安全及連接良好

l *完備的人身安全防護

l 測試結(jié)束電容自動放電

l 測試過程中短路保護(非短路測試)

l *被測器件防爆保護

 

3.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀測試單元組成

本測試單元包括動態(tài)參數(shù)測試部分,主要組成材料及其要求如下所示。

3.2.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試部分主要材料清單

表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成

序號

組成部分

單位

數(shù)量

1

可調(diào)充電電源

1

2

直流電容器

8

3

動態(tài)測試負(fù)載電感

1

4

安全工作區(qū)測試負(fù)載電感

1

5

補充充電回路限流電感L

1

6

短路保護放電回路

1

7

正常放電回路

1

8

高壓大功率開關(guān)

5

9

尖峰抑制電容

1

10

主回路正向?qū)ňчl管

2

11

動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管

2

12

安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管

3

13

被測器件旁路開關(guān)

1

14

工控機及操作系統(tǒng)

1

15

數(shù)據(jù)采集與處理單元

1

16

機柜及其面板

1

17

壓接夾具及其配套系統(tǒng)

1

18

加熱裝置

1

19

其他輔件

1

 

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1) 海拔高度:海拔不超過1000m;

2) 溫度:儲存環(huán)境溫度 -2060;

3) 工作環(huán)境溫度: -540;

4) 濕度:20RH 至 90RH (無凝露,濕球溫度計溫度: 40以下);

5) 震動:抗地震能力按7級設(shè)防,地面抗震動能力0.5g;

6) 防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

3.3.1.2華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng),IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

華科智源大功率IGBT測試系統(tǒng)設(shè)備主要針對IGBT及MOS管的測試儀,適用于芯片設(shè)計,產(chǎn)線封裝測試及新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測試,設(shè)備模塊化程度高,測試穩(wěn)定性及測試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用。可以根據(jù)就用戶需求進行定制。華科智源專業(yè)提供動態(tài)參數(shù)測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統(tǒng)

 

關(guān)鍵詞:溫度計
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