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雙電測四探針測試儀

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  • 型號 RTS-9
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  • 廠商性質(zhì) 其他
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更新時間:2020-12-28 15:11:43瀏覽次數(shù):646

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產(chǎn)品簡介

采用了四探針雙電測組合(亦稱雙位組合)測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換,在計算機控制下進行兩次電測量,能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響進行動態(tài)的自動修正,因此顯著降低了幾何因素影響,從而提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確度

詳細介紹

采用了四探針雙電測組合(亦稱雙位組合)測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換,在計算機控制下進行兩次電測量,能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響進行動態(tài)的自動修正,因此顯著降低了幾何因素影響,從而提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些,用目前大量使用的常規(guī)四探針測量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實現(xiàn)的。是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序。測試程序在計算機與RTS-9型四探針測試儀連接的狀態(tài)下,通過計算機的并口實現(xiàn)通訊。    測試程序控制四探針測試儀進行測量并實時采集兩次組合模式下的測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析技術(shù)指標(biāo) :測量范圍電阻率:10-5~105 Ω.cm(可擴展);   方塊電阻:10-4~106 Ω/□(可擴展); 電導(dǎo)率:10-5~105s/cm; 電阻:10-5~105 Ω;可測晶片厚度               ≤3mm可測晶片直徑               140mmX150mm(配S-2A型測試臺); 200mmX200mm(配S-2B型測試臺); 400mmX500mm(配S-2C型測試臺);恒流源                         電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)數(shù)字電壓表                  量程及表示形式:000.00~199.99mV;    分辨力:10μV;輸入阻抗:>1000MΩ;精度:±0.1% ;顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動顯示;四探針探頭基本指標(biāo)    間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻:≥1000MΩ;機械游移率:≤0.3%;探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;探針壓力:5~16 牛頓(總力);四探針探頭應(yīng)用參數(shù)    (見探頭附帶的合格證)模擬電阻測量相對誤差( 按JJG508-87進行)    0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字整機測量大相對誤差       (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±4%整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度        ≤4%測試標(biāo)準(zhǔn)采用雙電測測試標(biāo)準(zhǔn),通過RTS-9雙電測測試軟件控制四探針測試儀進行測量并實時采集兩次組合模式下的電壓值,然后根據(jù)雙電測測試原理公式計算出電阻值。儀器主機也可兼容RTS-8四探針測試軟件實現(xiàn)單電測測試標(biāo)準(zhǔn),兩套軟件可同時使用。軟件功能軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù),并統(tǒng)計分析測試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖,也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動測量功能,根據(jù)樣品電阻大小自動選擇適合電流量程檔測試。計算機通訊接口并口,高速并行采集數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度:23±2℃;相對濕度:≤65%;無高頻干擾;無強光直射;

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