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   在集成電路工藝中，實現(xiàn)夾層電阻有很多種方法。本文研究的夾層電阻就是其中的一種，它不需要通過額外增加光刻MASK層就能實現(xiàn)。圖1為該夾層電阻的平面示意圖。

　　圖1中，夾層電阻區(qū)為低濃度的P型注入?yún)^(qū)，它主要利用工藝中的現(xiàn)有層次實現(xiàn)，比如Pbase層或者Pbody層。該P型夾層電阻區(qū)被N+和N阱*包圍，因此該結(jié)構(gòu)就是一個被N+和N阱兩個層次夾在中間的P型夾層電阻。

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    在集成電路的線路設(shè)計中，特別是模擬電路的設(shè)計中，A20B-0006-0880不可避免地都會需要用到電阻。對于低阻值的應(yīng)用，一般可以用鋁線電阻、多晶電阻、N+電阻或者P+電阻等實現(xiàn)。對于更大一點的電阻，則可以用N阱電阻、P阱電阻或者高阻多晶等實現(xiàn)。對于更高阻值要求，或者阻值要求高但是占用面積要小且精度要求不高，這時候可以用倒比的MOS管或者夾層電阻來實現(xiàn)。顧名思義，夾層電阻就是被其他層次夾在中間的電阻，夾層電阻的方塊阻值一般在5~50 kΩ，隨著電壓的提高，還可以到100 kΩ或更高。

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