1)GB/T 10590-2006 高低溫/低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件;
2)GB/T 10589-2008 低溫濕熱箱技術(shù)條件;
3)GB/T 11158-2008 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件;
4)GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫 (IEC 60068-2-1:2007, IDT);
5)GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫 (IEC 60068-2-2:2007, IDT);
6)GB/T 2423.21-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)M:低氣壓 (IEC 60068-2-13:1983, IDT);
7)GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N:溫度變化 (IEC 60068-2-14:2009, IDT);
8)GB/T 2423.25-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn) (IEC 68-2-40:1976, IDT);
9)GB/T 2423.26-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn) (IEC 68-2-41:1976, IDT);
10)GJB 150.2A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第2部分:低氣壓(高度)試驗(yàn);
11)GJB 150.3A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第3部分:高溫試驗(yàn);
12)GJB 150.4A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第4部分:低溫試驗(yàn);
13)GJB 150.6A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第6部分:溫度高度試驗(yàn)。