無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司的半導體控溫解決方案
主要產(chǎn)品包括半導體專?溫控設(shè)備、射流式?低溫沖擊測試機和半導體??藝廢?處理裝置等?設(shè)備，
?泛應?于半導體、LED、LCD、太陽能光伏等領(lǐng)域。
半導體行業(yè)主營控溫產(chǎn)品：
半導體專溫控設(shè)備
射流式?低溫沖擊測試機
半導體專用溫控設(shè)備chiller
Chiller氣體降溫控溫系統(tǒng)
Chiller直冷型
循環(huán)風控溫裝置
半導體?低溫測試設(shè)備
電?設(shè)備?溫低溫恒溫測試冷熱源
射流式高低溫沖擊測試機
快速溫變控溫卡盤
數(shù)據(jù)中心液冷解決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內(nèi)循環(huán)液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器，擴展-25℃～80℃ | ||||||
元器件循環(huán)制冷機 半導體制作過程水冷機
元器件循環(huán)制冷機 半導體制作過程水冷機
集成電路晶圓制造Chiller在半導體制造工藝中作為一種制冷加熱動態(tài)控溫設(shè)備，可以用在不同的工藝中，以下是在半導體制造工藝中的應用：
1、氧化工藝：在氧化工藝中，需要將硅片放入氧化爐中，并在高溫下進行氧化反應。集成電路晶圓制造Chiller可以控制氧化爐的溫度和氣氛，以確保氧化反應的穩(wěn)定性和均勻性。
2、退火工藝：在退火工藝中，需要將硅片加熱到一定溫度，并保持一段時間，以消除晶格中的應力并改善材料的性能。集成電路晶圓制造Chiller可以控制退火爐的溫度和時間，以確保退火過程的穩(wěn)定性和可靠性。
3、刻蝕工藝：在刻蝕工藝中，需要將硅片暴露在化學試劑中，以去除不需要的材料。集成電路晶圓制造Chiller可以控制化學試劑的溫度和流量，以確?？涛g過程的穩(wěn)定性和精度。
4、薄膜沉積工藝：在薄膜沉積工藝中，需要將材料沉積在硅片上，以形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制沉積設(shè)備的溫度和氣氛，以確保薄膜沉積的穩(wěn)定性和質(zhì)量。
5、離子注入工藝：在離子注入工藝中，需要將離子注入到硅片中，以改變材料的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制離子注入設(shè)備的溫度和電流，以確保離子注入的穩(wěn)定性和精度。
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